الانتقال الى المحتوى الأساسي
23-جمادى الآخرة-1447 هـ
جامعة الملك عبدالعزيز
KING ABDULAZIZ UNIVERSITY
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مؤتمر
عنوان الوثيقة
:
Lasing Output and Threshold Current Density in P-Doped InP/AlGaInP Quantum Dot Laser Diodes
Lasing Output and Threshold Current Density in P-Doped InP/AlGaInP Quantum Dot Laser Diodes
الموضوع
:
physics
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
We demonstrate the p-doping effect on lasing output and threshold current density. The lasing wavelength peak became narrower as the doping concentration increases and has a red shift which consistent with optical absorption ground state.
اسم المؤتمر
:
24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC)
الفترة
:
من : 07/9/2014 هـ - إلى : 10/07/2014 هـ
من : 07/9/2014 م - إلى : 10/07/2014 م
سنة النشر
:
2014 هـ
2014 م
عدد الصفحات
:
1
نوع المقالة
:
مقالة علمية
مكان الانعقاد
:
Palma de Mallorca, SPAIN
الجهة المنظمة
:
IEEE
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Thursday, August 3, 2017
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
M. S Al-Ghamdi,
Al-Ghamdi, M. S[
باحث رئيسي
دكتوراه
msalghamdi@kau.edu.sa
P.M Smowton
Smowton, P.M
باحث مشارك
دكتوراه
A.B Krysa
Krysa, A.B
باحث مشارك
دكتوراه
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
42469.pdf
pdf
الرجوع إلى صفحة الأبحاث